(2)线缺陷：是晶体中某处一列或若干列原子发生的规律 性错排现象，通常称为位错，是晶体中存在的较普遍的一种 缺陷形式。 (3)晶界：实际晶体在生长时，常是在许多部位同时发展， 结果得到的不是同一晶格贯穿其中的单晶，而是由许多取向 不同的细小晶粒不规则堆砌起来的多晶体。由于细小单晶各 异性的相互抵消，多晶体一般不表现各向异性。 掌握缺陷产生的原因和规律，对于制备、加工和使用材 料，是有重要意义的。 掌握缺陷产生的原因和规律，对于制备、加工和使用材 料，是有重要意义的。 （2）线缺陷： 是晶体中某处一列或若干列原子发生的规律 性错排现象，通常称为位错，是晶体中存在的较普遍的一种 缺陷形式。 （3）晶界： 实际晶体在生长时，常是在许多部位同时发展， 结果得到的不是同一晶格贯穿其中的单晶，而是由许多取向 不同的细小晶粒不规则堆砌起来的多晶体。由于细小单晶各 异性的相互抵消，多晶体一般不表现各向异性