图3.55所示为一实 12V 5-33pF 用振荡电路,其中的指 用于削弱C的影响, r20 pF 以隔离外部电路与石英 30n C 谐振器的耦合。此外 20pF 320 pF 4700pF 若串联电容C为变 容二极管,还可构成电 图355采用微调电容的 晶体振荡电路 犬压控制型晶体振荡器。 3.5.2图3.5.5所示为一实 用振荡电路，其中的C4 用于削弱 CL 的影响， 以隔离外部电路与石英 谐振器的耦合。此外， 若串联电容C为变 容二极管，还可构成电 压控制型晶体振荡器。 图3.5.5 采用微调电容的 晶体振荡电路 3.5.2