用微米，所以要增大截止波长，必须减少禁带宽度，减小禁带宽度目前要用的方式主要是 降低半导体的温度和掺入少量杂质两种。 6.1.3扫描探测器的工作原理 在扫描探测器中，根据其探测过程的物理机制，可分为光子或电子探测器与热探测器 两类。 1光子或电子探测器 光子或电子探测器包括光电探测器，光电导探测器，光生伏打探测器和光磁电探测器 等多种类型。 (1)光电探则器 根据光电效应，由金属材料制成的探测器称光电深测器。由前面已知，光电效应的产 生，取决于材料表面的脱出功A和入射光的频率D,截止波长入c=1.24/A,碱金属A 最低，如铯：1.9伏。入c=0.65um,金属化合物的A更低，使得c变大。 然而，由金属制造的普通光电管所产生的光电子的能量相当弱，很难记录与显示，因 此在遥感中，常采用光电倍增管。经过多次激发，电子数目不断增加，目前用的光电倍增 管中增级可达13级。所以，光电倍增管是非常灵敏的，可以探测到极其微弱的光辐射。 (2)光电导型探测器 根据光电导现象，由半导体材料制成的探测器称光电导型探测器，目前做成的光电导 型红外探测器的半导体有：硫化铅、碑化铟、锑化铟、碲镉汞，以及锗（硅）掺杂等。截止 波长入c=1.24/E,E禁带宽度。 (3)光生伏特型探测器 根据光生伏特效应由P一结半导体材料制成的探测器，称光生伏特型探测器。在该 探测器中入射辐射必须能激发出电子一空穴对。从目前的工艺水平看光导型和光伏型两类 探测器所达到的探测基本相同，光导型的与响应时间成正比，而光伏型的则与时间无关， 所以后者的响应时间可以很短，增加了可能使用的范围。 综上所述，光电探测器是利用物体中的电子吸收入射辐射能而改变运动状态的光电效 应。因为物体的电学性质是由电子运动来决定的，电子运动状态的改变就是物体电学性质 的改变。因此，光电探测器的物理过程是外界辐射照射直接引起探测元件电学性质的改变 2光热效应与热敏类探测器 利用光热效应原理做成的探测器称做热敏类探测器，与遥感关系密切的主要有两类。 (1)热敏电阳型深测器 辐射照射产生的热效应，可以引起半导体电阻的改变，从而把入射的辐射能量转变成 输出电压，据此而制造的探测器，称为热敏电阻型探测器。热敏电阻在受到辐射照射时，5 用微米，所以要增大截止波长，必须减少禁带宽度，减小禁带宽度目前要用的方式主要是 降低半导体的温度和掺入少量杂质两种。 6.1.3 扫描探测器的工作原理 在扫描探测器中，根据其探测过程的物理机制，可分为光子或电子探测器与热探测器 两类。 1 光子或电子探测器 光子或电子探测器包括光电探测器，光电导探测器，光生伏打探测器和光磁电探测器 等多种类型。 (1)光电探测器 根据光电效应，由金属材料制成的探测器称光电探测器。由前面已知，光电效应的产 生，取决于材料表面的脱出功 A 和入射光的频率υ，截止波长λｃ＝1.24／Ａ，碱金属Ａ 最低，如铯：1.9 伏。λｃ＝0.65μｍ，金属化合物的Ａ更低，使得λｃ变大。 然而，由金属制造的普通光电管所产生的光电子的能量相当弱，很难记录与显示，因 此在遥感中，常采用光电倍增管。经过多次激发，电子数目不断增加，目前用的光电倍增 管中增级可达 13 级。所以，光电倍增管是非常灵敏的，可以探测到极其微弱的光辐射。 (2)光电导型探测器 根据光电导现象，由半导体材料制成的探测器称光电导型探测器，目前做成的光电导 型红外探测器的半导体有：硫化铅、砷化铟、锑化铟、碲镉汞，以及锗(硅)掺杂等。截止 波长λｃ＝1.24／Ｅ，Ｅ禁带宽度。 (3)光生伏特型探测器 根据光生伏特效应由Ｐ－ｎ结半导体材料制成的探测器，称光生伏特型探测器。在该 探测器中入射辐射必须能激发出电子—空穴对。从目前的工艺水平看光导型和光伏型两类 探测器所达到的探测基本相同，光导型的与响应时间成正比，而光伏型的则与时间无关， 所以后者的响应时间可以很短，增加了可能使用的范围。 综上所述，光电探测器是利用物体中的电子吸收入射辐射能而改变运动状态的光电效 应。因为物体的电学性质是由电子运动来决定的，电子运动状态的改变就是物体电学性质 的改变。因此，光电探测器的物理过程是外界辐射照射直接引起探测元件电学性质的改变。 2 光热效应与热敏类探测器 利用光热效应原理做成的探测器称做热敏类探测器，与遥感关系密切的主要有两类。 (1)热敏电阻型探测器 辐射照射产生的热效应，可以引起半导体电阻的改变，从而把入射的辐射能量转变成 输出电压，据此而制造的探测器，称为热敏电阻型探测器。热敏电阻在受到辐射照射时