图43示意地表示了这一过程。如图43(a)所示包含位错的晶体在切应力作用下, 位错线上面的两列原子向右作微量位移至虚线所示的位置,位错线下面的一列原 子向左作微量位移至虚线所示的位置,这样就可以使位错向右移动一个原子间 距。在切应力的作用下,如位错线继续向右移动到晶体表面时,就形成了一个原 子间距的滑移量,如图4.3(b)所示。结果晶体就产生了塑性变形 由此可见,晶体通过位错移动而产生滑移时,并不需要整个滑移面上全部的 原子同时移动,而只需位错附近的少数原子作微量的移动,移动的距离远小于 个原子间距,因而位错运动所需的切应力就小得多,且与实测值基本相符。这就 是“位错的易动性”。所以滑移实质上是在切应力作用下,位错沿滑移面的运动。 如果把试样表面抛光后进行塑性变形,用显微镜下可以观察到,在试样表面 有很多相互平行的线条,称为滑移带,如图44所示。如果再用分辨率更高的电 子显微镜观察,可以看出滑移带是由很多相互平行的滑移线( slip line)所构成, 如图45所示。 滑移带 2000A ~200A 滑移线 图44铜变形后出现的滑移带 图45滑移带和滑移线的示意图 孪生 孪晶面 孪晶带 孪晶面 图46孪生示意图 挛生是晶体的一部分沿一定晶面(孪晶面( twin plain)和晶向发生切变, Chap8Chap8 第4页 图 4.3 示意地表示了这一过程。如图 4.3(a)所示包含位错的晶体在切应力作用下， 位错线上面的两列原子向右作微量位移至虚线所示的位置，位错线下面的一列原 子向左作微量位移至虚线所示的位置，这样就可以使位错向右移动一个原子间 距。在切应力的作用下，如位错线继续向右移动到晶体表面时，就形成了一个原 子间距的滑移量，如图 4.3(b)所示。结果晶体就产生了塑性变形。 由此可见，晶体通过位错移动而产生滑移时，并不需要整个滑移面上全部的 原子同时移动，而只需位错附近的少数原子作微量的移动，移动的距离远小于一 个原子间距，因而位错运动所需的切应力就小得多，且与实测值基本相符。这就 是“位错的易动性”。所以滑移实质上是在切应力作用下，位错沿滑移面的运动。 如果把试样表面抛光后进行塑性变形，用显微镜下可以观察到，在试样表面 有很多相互平行的线条，称为滑移带，如图 4.4 所示。如果再用分辨率更高的电 子显微镜观察，可以看出滑移带是由很多相互平行的滑移线（slip line）所构成， 如图 4.5 所示。 二、孪生 孪生是晶体的一部分沿一定晶面（孪晶面（twin plain））和晶向发生切变， 4’ 3 2 1 1’ 2’ 3’ 4 孪晶带 孪晶面 孪晶面 图 4.6 孪生示意图 图 4.4 铜变形后出现的滑移带 图 4.5 滑移带和滑移线的示意图 滑移带 滑移线 ~2000A ~200A o o