(二)半导体应变片典型半导体应变片结构见图3-9 工作原理:半导体材料的电阻率p对多种影响因素都很敏感,其中包括应力。 半导体应变片的压阻系数λ大,使式(3-8)中几何尺寸变化项 (1+2y)e远小于电阻率变化项λEe,式(38)可简化为 dR ranEe (3-11) dR 灵敏度为 Sn==R≈AE (3-12) 这一数值比金属丝式大50~70倍,几种常用的半导体材料特性见表3-3 优点:(1)灵敏度高(2)可与后续电路及多种传感器集成 缺点:(1)温度稳定性差(2)灵敏度分散度大(由于晶向杂质等因数) (3)非线性大 小结:(1)金属丝电阻应变片利用导体形变引起电阻变化。 (2)半导体应变片是利用半导体电阻率变化而引起电阻的变化。 KDI（二）半导体应变片 典型半导体应变片结构见 图3-9 工作原理：半导体材料的电阻率ρ对多种影响因素都很敏感，其中包括应力。 半导体应变片的压阻系数λ大，使式（3-8）中几何尺寸变化项 (1+2γ)ε远小于电阻率变化项λEε ，式（3-8）可简化为 E R dR  （3-11） 灵敏度为 E l dl R dR Sg =   （3-12） 这一数值比金属丝式大50~70倍， 几种常用的半导体材料特性见 表3-3 优点： （1）灵敏度高 （2）可与后续电路及多种传感器集成 缺点：（1）温度稳定性差（2）灵敏度分散度大（由于晶向杂质等因数） （3）非线性大 小结：（1）金属丝电阻应变片利用导体形变引起电阻变化。 （2）半导体应变片是利用半导体电阻率变化而引起电阻的变化。 9