点击下载:电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六章 半导体界面及接触现象
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四、p-n结击穿特性 反向电压使结区电场达到105v/cm,反向饱和电 流不再恒定,而是突然增加,这种现象称为p-n 结的击穿,对应的电压称为击穿电压,用VBR 表示。 BRVBR 四、p-n结击穿特性 反向电压使结区电场达到105v/cm,反向饱和电 流不再恒定,而是突然增加,这种现象称为p-n 结的击穿,对应的电压称为击穿电压,用VBR 表示。 V J Js
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