nerated by Foxit PDF Creator@ Foxit Software I//www.foxitsoftware.comForevaluationonly NMOS/PMos传输门:RC延迟 C ■沿用反相器部分的分析模型, 宽度为W的PMoS导电因子为 Ko,等效电阻为R0,漏电容 为c0,并有迁移率2倍近似 如果负载电容只有传输管的漏tm∝nRC0 电容,则宽度为W/2的NMoS 的传输延迟: 多级串联的传输门可以根据集mRC 总或者 elmore模型计算11 NMOS/PMOS传输门：RC延迟  沿用反相器部分的分析模型， 宽度为W的PMOS导电因子为 K0，等效电阻为R0，漏电容 为C0，并有迁移率2倍近似  如果负载电容只有传输管的漏 电容，则宽度为W/2的NMOS 的传输延迟：  多级串联的传输门可以根据集 总或者elmore模型计算 00 4 1 CRt pHL  CL Vc Vin Vout 00 2 1 CRt pLH  Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only