*注入逻辑Ⅲ电路 IL电路的主要特点是电路结构简单,功耗低 I的每个基片逻辑单元所占面积很小,工作电流 不超过1nA,因而其集成度可达500门/mm以上 (一般TTL电路集成度在20门/mm左右)。 LL电路的另一特点是可以在低电压下工作但抗 干扰能力差,开关速度低,一般tpd>10ns MOS集成门 MOS逻辑电路是以金属一氧化物一半导体场 效应管为基础的集成电路。因管内有一种载流子 运动,因而它属于单极型数字集成电路。目前广 泛应用的是CMOS电路,它有以下特点: 目录)( 总目录)退出IIL电路的主要特点是电路结构简单，功耗低。 IIL的每个基片逻辑单元所占面积很小，工作电流 不超过1nA，因而其集成度可达500门/mm以上 （一般TTL电路集成度在 2 20门/mm左右）。 注入逻辑IIL电路 IIL电路的另一特点是可以在低电压下工作但抗 干扰能力差，开关速度低，一般tpd >10ns。 MOS集成门 MOS逻辑电路是以金属一氧化物一半导体场 效应管为基础的集成电路。因管内有一种载流子 运动，因而它属于单极型数字集成电路。目前广 泛应用的是CMOS电路，它有以下特点： 2 目录 < > 总目录 退出 *