EEEE 思路与解:设室温下杂质全部电离 n=ND=N exp(-LC-EE 则 EF=E+kTln=E2+0026n。,c=E2-0.147(e) EF≈E-0.15(eV) nSi的功函数为 W=x+(E-EF)=405+0.15=420e1) 已知:WA=4.18e1,W<W,故二者接触形成反阻挡层。 5.20e,W=42l显然,…∴Wm>Wm>W, 故Au与n-Si接触,Mo与nSi接触均形成阻挡层。 评析:在不考虑表面态时,金属与半导体接触时,是形成肖特基势垒还是欧姆接触(反阻 挡层接触),取决于金属和半导体的功函数差 习题: 1.什么是功函数?哪些因数影响了半导体的功函数?什么是接触势差? 什么是 Schottky势垒?影响其势垒高度的因数有哪些? 3.什么是欧姆接触?形成欧姆接触的方法有几种?试根据能带图分别加以分析 4.什么是镜像力?什么是隧道效应?它们对接触势垒的影响怎样的? 5.施主浓度为7.0×10°cm3的n型Si与Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为 4.20eV,Si的电子亲和能为4.05eV,试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并 标明半导体表面势的数值。 6.分别分析n型和p型半导体形成阻挡层和反阻挡层的条件。 7.试分别画出n型和p型半导体分别形成阻挡层和反阻挡层的能带图。 8.什么是少数载流子注入效应? 9.某 Shottky二极管,其中半导体中施主浓度为2.5×10°cm3,势垒高度为0.64eV, 加上4V的正向电压时,试求势垒的宽度为多少? 10.试根据能带图定性分析金属-n型半导体形成良好欧姆接触的原因。思路与解：设室温下杂质全部电离： 则 exp( ) c F D c E E n N N k T − = = −  17 19 10 ln 0.026ln 0.147( ) 2.8 10 D F c c c c N E E k T E E eV N = + = + = −  即 0.15( ) E E eV F c  −  n-Si 的功函数为： ( ) 4.05 0.15 4.20( ) W x E E eV s c F = + − = + = 已知： 4.18 W eV Al = ，  W W Al s ，故二者接触形成反阻挡层。 5.20 W eV Au = ， 4.21 W eV Mo = 显然，    W W W Au Mo s 故 Au 与 n-Si 接触，Mo 与 n-Si 接触均形成阻挡层。 评析：在不考虑表面态时，金属与半导体接触时，是形成肖特基势垒还是欧姆接触(反阻 挡层接触），取决于金属和半导体的功函数差。 习题： 1.什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ 2.什么是 Schottky 势垒？影响其势垒高度的因数有哪些？ 3.什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。 4.什么是镜像力？什么是隧道效应？它们对接触势垒的影响怎样的？ 5.施主浓度为 7.0×1016 cm -3 的 n 型 Si 与 Al 形成金属与半导体接触，Al 的功函数为 4.20eV，Si 的电子亲和能为 4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并 标明半导体表面势的数值。 6.分别分析 n 型和 p 型半导体形成阻挡层和反阻挡层的条件。 7.试分别画出 n 型和 p 型半导体分别形成阻挡层和反阻挡层的能带图。 8.什么是少数载流子注入效应？ 9.某 Shottky 二极管，其中半导体中施主浓度为 2.5×1016 cm -3，势垒高度为 0.64eV， 加上 4V 的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？ 10.试根据能带图定性分析金属-n 型半导体形成良好欧姆接触的原因。 Eo Ec EF Ev