The magnetoresistive switch device with the highest magnetoresistance atio,10000%@RT在2003年东京举行的 nanotech2003+ Future”评为 highlight'。在硅基底在制备新型的纳米 和微米级多孔砖氧化硅结构的工作已经申请 日本和美国专利。获德国宏堡奖学金、日本 “科学振兴会(JSPS)”奖学金和丸文财 团交流助成赏。“The magnetoresistive switch device with the highest magnetoresistance ratio,10000%@RT”在2003年东京举行的 “nanotech 2003+Future”评为 “highlight”。在硅基底在制备新型的纳米 和微米级多孔硅/氧化硅结构的工作已经申请 日本和美国专利。获德国宏堡奖学金、日本 “科学振兴会（ JSPS ）”奖学金和丸文财 团交流助成赏