NMoS反相器 T管为工作管(驱动管、控制管),T2管为负载管, 故此电路称为有源负载反相器。 DD 01010100 10010101 00101010 G 。然 01019910 IH VO OH hillii 100101 0v。0、Q D2 BSP D 00101001 s2)。n为高电平时 010100 图25饱和型NMOS反相器v为低电平⑴NMOS反相器 ➢ T1管为工作管(驱动管、控制管)，T2管为负载管， 故此电路称为有源负载反相器。 ➢T2管： VGD=VGS￾VDS=0<VT，故T2管 工作在饱和区，T2 管称饱和型负载管， 总是处于导通状态。 ➢vI为高电平且vI＞ VT1时，T1、T2管同 时导通，输出电压vO 为两个管子的导通电 阻对VDD的分压，即 vo =VDDRDS1/(RDS1+RD S2)。vI为高电平时， vO为低电平。 ➢当输入电压vI为低 电平时(vI＜VT1)，T1 管截止，输出为高电 平(vO=VOH=VDD-VT2)。 VDD T2 T1 vO vI VIL VIH VOH VOL 图 2-25 饱和型 NMOS 反相器 G G D S S D ➢为了保证在T1和T2 同时导通时满足RDS1 ＜＜RDS2，制造时使 T1、T2在结构上有不 同的宽长比，即W1 /L1 ＞＞W2 /L2