集成电路工艺的发展特点 九十年代以来，集成电路工艺发展非常迅速，已从 亚微米(0.5到1微米)进入到深亚微米（小于0.5微米）， 进而进入到超深亚微米（小于0.25微米）。其主要特 点： 特征尺寸越来越小 芯片尺寸越来越大 单片上的晶体管数越来越多 时钟速度越来越快 电源电压越来越低 布线层数越来越多 O引线越来越多九十年代以来，集成电路工艺发展非常迅速，已从 亚微米(0.5到1微米)进入到深亚微米(小于0.5微米)， 进而进入到超深亚微米(小于0.25微米)。其主要特 点： • 特征尺寸越来越小 • 芯片尺寸越来越大 • 单片上的晶体管数越来越多 • 时钟速度越来越快 • 电源电压越来越低 • 布线层数越来越多 • I/O引线越来越多