·388· 工程科学学报，第38卷，第3期 a 500 3000 2500 4000 3000 1500 2000 1000 1000 500 2 3 45 6 7 2 3 45 6 7 能量keV 能量keV 图4图1(b)中点的能谱分析.(a)点A:(b)点B Fig.4 EDS spectra of points in Fig.1(b):(a)point A:(b)point B 验条件下将氢注入纯钒后氢和空位缺陷分别随样品深 由图1(a)可知：在注氢前，合金基体清晰干净，没有位 度的分布规律，如图5所示. 错或析出存在.在500℃注氢后，基体中出现大量的 10 36 黑色点状缺陷，如图6(a)所示，这与中子辐照实验中 3.0 出现的点状缺陷类似：在其他位置还发现分布不均 的缺陷簇和少量位错环，如图6(b)中箭头所示.该合 24 6 金中并未看到气泡存在，可能是因为C元素的存在抑 1.8 制了氢气泡的形成，这还需要进一步的研究来确定. 图7和图8分别为V4Ti和V-4Cr4Ti两种合金 在500℃注氢后的透射电镜形貌.从图7(a)可以看 0.6 到，V-4Ti合金在500℃注氢之后，在基体和针状析出 相上都出现与V-4C基体中类似的黑色点状缺陷，不 100 200300 400 308 样品深度m 过密度较小：同时，基体中原有的析出相都发生不同程 度的溶解而变得不再连续，如图7(a)中的箭头所示， 图5纯钒中氢的深度分布 Fig.5 Depth distribution of hydrogen in pure vanadium 类似的情况也出现在钒合金的注氘实验中网，具体原 因还需要进一步的研究.另外，合金的基体中都出现 图6为V-4Cr合金在500℃注氢后的微观形貌. 大量的气泡，如图7(b)所示.V-4Ti合金中大部分气 250 250nm 图6V4Cr合金在500℃注氢后的透射电镜形貌.(a)点状缺陷：(b)缺陷簇 Fig.6 TEM bright field images of V-4Cr alloy after hydrogen implantation at 500C:(a)dot defects:(b)defects clusters工程科学学报，第 38 卷，第 3 期 图 4 图 1( b) 中点的能谱分析． ( a) 点 A; ( b) 点 B Fig． 4 EDS spectra of points in Fig． 1( b) : ( a) point A; ( b) point B 验条件下将氢注入纯钒后氢和空位缺陷分别随样品深 度的分布规律，如图 5 所示． 图 5 纯钒中氢的深度分布 Fig． 5 Depth distribution of hydrogen in pure vanadium 图 6 V--4Cr 合金在 500 ℃注氢后的透射电镜形貌 . ( a) 点状缺陷; ( b) 缺陷簇 Fig． 6 TEM bright field images of V--4Cr alloy after hydrogen implantation at 500 ℃ : ( a) dot defects; ( b) defects clusters 图 6 为 V--4Cr 合金在 500 ℃ 注氢后的微观形貌． 由图 1( a) 可知: 在注氢前，合金基体清晰干净，没有位 错或析出存在． 在 500 ℃ 注氢后，基体中出现大量的 黑色点状缺陷，如图 6( a) 所示，这与中子辐照实验中 出现的点状缺陷类似［10］; 在其他位置还发现分布不均 的缺陷簇和少量位错环，如图 6( b) 中箭头所示． 该合 金中并未看到气泡存在，可能是因为 Cr 元素的存在抑 制了氢气泡的形成，这还需要进一步的研究来确定． 图 7 和图 8 分别为 V--4Ti 和 V--4Cr--4Ti 两种合金 在 500 ℃注氢后的透射电镜形貌． 从图 7 ( a) 可以看 到，V--4Ti 合金在 500 ℃注氢之后，在基体和针状析出 相上都出现与 V--4Cr 基体中类似的黑色点状缺陷，不 过密度较小; 同时，基体中原有的析出相都发生不同程 度的溶解而变得不再连续，如图 7( a) 中的箭头所示， 类似的情况也出现在钒合金的注氘实验中［20］，具体原 因还需要进一步的研究． 另外，合金的基体中都出现 大量的气泡，如图 7( b) 所示． V--4Ti 合金中大部分气 ·388·