3)MOSFET转移、输出特性曲线测量 四、教学方法 授课方式：.理论课（讲授核心内容、总结、按顺序提示今后内容、答疑、公布习题和课外 拓展学习等)：b.课后练习（按照理论内容进行）：c.实验环节（根据理论课教学内容，要求学 生学会简单操作、四探针仪以及探针台并完成实验任务)：d.办公室时间（每周安排固定的办公 室时间，学生无需预约，可来教师办公室就课程内、外内容进行讨论)：.答疑（全部理论课程 和实验课程完成后安排1~2次集中答疑，答疑时间不包括在课程学时内，答疑内容包括讲授内容、 习题、实验等)：￡.期中和期末闭卷考试。 课程要求：.理论课：在理论课讲授环节中，应注意概念讲清讲透，并贯彻理论联系实际的 原则，注意学生逻辑思维能力、工程观点和分析与解决问题能力的培养。根据本课程的特点，必 须严格要求学生独立完成一定数量的习题：b.实验环节：要求学生学会简单操作及探针台级半导 体参数分析仪，正确地读取和记录实验数据、绘制图表，培养学生良好的实验习惯，树立实事求 是和严肃认真的科学作风，根据实验数据和实验结果撰写实验报告，具有对实验结果进行分析和 解释的能力。 五、考核及成绩评定方式 1、考核及成绩评定方式 考核方式：闭卷笔试，平时成绩（课堂表现及作业），实验 成绩评定方式：期末成绩45%，期中成绩30%，平时成绩10%，实验成绩15% 课程目标达成情况及考试成绩评定占比(%) 课程教学目 支撑毕业要求 考试和评价方式成绩占比(%) 成绩比 标 平时成绩 实验成绩 期中考试 期末考试 例(%) 教学日标1 毕业要求1.3 2 5 10 17 教学目标2 毕业要求1.3 3 15 20 38 教学目标3 毕业要求2.3 3 10 15 28 教学目标4 毕业要求2.3 2 15 0 17 合计 10 15 30 45 100 2、考核与评价标准 实验成绩评价标准： 基本要求 评价标准 成绩比 优秀 良好 合格 不合格 例(%) 能够从 能够清晰表达 能够清晰表达 能够描述 不理解 CV特性 MOSFET CV特 MOSFET CV特 MOSFET CV MOSFET 性的测试原理： 性的测试原理： 提取栅绝 特性的测试原 CV特性的 缘层厚 准确判断栅绝缘 准确判断栅绝 理：能够判断 测试原理： 度，判断 层厚度，半导体 缘层厚度，半导 判断栅绝缘层 不能判断 器件类型 导电类型判断准 体导电类型判 厚度，半导体 栅绝缘层 40 (支撑毕 确：实验报告撰 断准确：实验报 导电类型判断 厚度和半 业要求 写规范，内容完 告撰写规范，内 准确：实验报 导体导电 整，条理清晰： 容比较完整：自 告撰写尚规 类型：没有 4-4) 自己努力完成， 己努力完成，没 范，内容基本 交实验报3）MOSFET 转移、输出特性曲线测量 四、教学方法 授课方式：a.理论课（讲授核心内容、总结、按顺序提示今后内容、答疑、公布习题和课外 拓展学习等）；b.课后练习（按照理论内容进行）；c.实验环节（根据理论课教学内容，要求学 生学会简单操作、四探针仪以及探针台并完成实验任务）；d.办公室时间（每周安排固定的办公 室时间，学生无需预约，可来教师办公室就课程内、外内容进行讨论）；e.答疑（全部理论课程 和实验课程完成后安排1～2次集中答疑，答疑时间不包括在课程学时内，答疑内容包括讲授内容、 习题、实验等）；f.期中和期末闭卷考试。 课程要求：a.理论课：在理论课讲授环节中，应注意概念讲清讲透，并贯彻理论联系实际的 原则，注意学生逻辑思维能力、工程观点和分析与解决问题能力的培养。根据本课程的特点，必 须严格要求学生独立完成一定数量的习题；b.实验环节：要求学生学会简单操作及探针台级半导 体参数分析仪，正确地读取和记录实验数据、绘制图表，培养学生良好的实验习惯，树立实事求 是和严肃认真的科学作风，根据实验数据和实验结果撰写实验报告，具有对实验结果进行分析和 解释的能力。 五、考核及成绩评定方式 1、考核及成绩评定方式 考核方式：闭卷笔试，平时成绩（课堂表现及作业），实验 成绩评定方式：期末成绩45%，期中成绩30%，平时成绩10%，实验成绩15% 课程目标达成情况及考试成绩评定占比（%） 课程教学目 标 支撑毕业要求 考试和评价方式成绩占比（%） 成绩比 平时成绩 实验成绩 期中考试 期末考试 例（%） 教学目标1 毕业要求1.3 2 5 10 17 教学目标2 毕业要求1.3 3 15 20 38 教学目标3 毕业要求2.3 3 10 15 28 教学目标4 毕业要求2.3 2 15 0 17 合计 10 15 30 45 100 2、考核与评价标准 实验成绩评价标准： 基本要求 评价标准 成绩比 优秀 良好 合格 不合格 例（%） 能够从 CV特性 提取栅绝 缘层厚 度，判断 器件类型 （支撑毕 业要求 4-4） 能 够 清 晰 表 达 MOSFET CV 特 性的测试原理； 准确判断栅绝缘 层厚度，半导体 导电类型判断准 确；实验报告撰 写规范，内容完 整，条理清晰； 自己努力完成， 能够清晰表 达 MOSFET CV 特 性的测试原理； 准确判断栅 绝 缘层厚度，半导 体导电类型 判 断准确；实验报 告撰写规范，内 容比较完整；自 己努力完成，没 能够描述 MOSFET CV 特性的测试原 理；能够判断 判断栅绝缘层 厚度，半导体 导电类型判断 准确；实验报 告 撰 写 尚 规 范，内容基本 不理解 MOSFET CV 特性的 测试原理； 不能判断 栅绝缘层 厚度和半 导体导电 类型；没有 交实验报 40