单管和双管放大器的频响分析 R>11gm Re >11gm A 9m 11R: A 1 R dp 00 00 00 Rout 9mRBrds 1/gm 1/gm 图2-2共源放大器和源极跟随器的增益和输入、输出阻抗 Ra >11gm Ra >11gm A R R 9mrds Rg Ri 1/gm 11gm R Raut 9mrdsRB P 9mlasRg 00 图2-3共栅放大器的增益和输入、输出阻抗 2.2晶体管器件电容 2.2.1器件电容分类 为了研究电路频率响应特性，必须先对晶体管器件电容加以简单介绍，如图24所示， 晶体管器件电容可以划分为以下几类： (1)栅极和沟道之间的栅氧化层电容Cx (2)衬底与沟道之间的耗尽层电容Cc (3)由于多晶硅栅和源极、漏极相互交叠形成的交叠电容C (4)源极、漏极与衬底之间的结电容，包括与结底部相关的下极板电容Csb、Cb 和由于结周围引起的侧壁电容Cwsb、Cwdb 6单管和双管放大器的频响分析 6 RS iOUT Rout RB vIN iOUT Rout vIN vIN IB vOUT Rout RS vIN vOUT Rout RB 图 2-2 共源放大器和源极跟随器的增益和输入、输出阻抗 Rout i RB in vOUT RL iin vOUT RL IB vOUT vOUT Rin Rout Rin Rout Rin Rout Rin i RB iin IB in 图 2-3 共栅放大器的增益和输入、输出阻抗 2.2 晶体管器件电容 2.2.1 器件电容分类 为了研究电路频率响应特性，必须先对晶体管器件电容加以简单介绍，如图 2-4 所示， 晶体管器件电容可以划分为以下几类： (1) 栅极和沟道之间的栅氧化层电容 Cox (2) 衬底与沟道之间的耗尽层电容 Cbc (3) 由于多晶硅栅和源极、漏极相互交叠形成的交叠电容 Cov (4) 源极、漏极与衬底之间的结电容，包括与结底部相关的下极板电容 Cjsb 、Cjdb 和由于结周围引起的侧壁电容 Cjwsb 、Cjwdb g r R m ds B g r R m ds B 1/gm RL RL 1/gm AR Rin Rout    R g B m  1/ g r R m ds B - RB R g B m  1/ R g B m  1/ R g B m  1/ 1  m 1/gm 1/g  AG gm 1/RB AV 1 Rin   ds g R r m B ds r Rout