3.1.4杂质半导体 ◆半导体的掺杂特性：本征半导体中掺入杂质可改变 半导体的导电类型和导电能力。 ◆N型半导体(N-type semiconductor):在本征半导体中 掺入少量的五价杂质元素（如磷P、砷As等）。 ◆P型半导体(P-type semiconductor):在本征半导体中 掺入少量的三价杂质元素（如硼B、镓Ga等）。 ◆例如：在室温下纯锗电阻率约为472cm,掺入百万 分之一的硼，电阻率下降到12cm。3.1.4 杂质半导体 ◆N型半导体(N-type semiconductor):在本征半导体中 掺入少量的五价杂质元素(如磷P、砷As等)。 ◆半导体的掺杂特性:本征半导体中掺入杂质可改变 半导体的导电类型和导电能力。 ◆P型半导体(P-type semiconductor): 在本征半导体中 掺入少量的三价杂质元素(如硼B、镓Ga等) 。 ◆例如: 在室温下纯锗电阻率约为47Ω•cm, 掺入百万 分之一的硼, 电阻率下降到1Ω•cm