◆温度特性：半导体的导电能力随环境温度、光 照的变化而显著变化。 ◆掺杂特性：半导体中掺入杂质(impurity)可改 变半导体的导电类型和导电能力。 *本征半导体(intrinsic semiconducter):化学成分 纯净、未掺入杂质的半导体。 *掺杂半导体(doped semiconducter)-杂质半导体 (impurity semiconducter):在本征半导体中掺入 少量其它元素，如五价磷(P)或三价硼(B)所形 成的半导体。◆掺杂特性:半导体中掺入杂质(impurity) 可改 变半导体的导电类型和导电能力。 本征半导体(intrinsic semiconducter):化学成分 纯净、未掺入杂质的半导体。 掺杂半导体(doped semiconducter)-杂质半导体 (impurity semiconducter):在本征半导体中掺入 少量其它元素, 如五价磷 (P) 或三价硼(B)所形 成的半导体。 ◆温度特性:半导体的导电能力随环境温度、光 照的变化而显著变化