二、半导体材料基本性能测试 主要完成半导体材料电阻率测试、半导体材料霍尔效应测试（霍尔系数、电阻率 载流子浓度、迁移率等)2个实验。通过实验使学生掌握半导体基本性能的测量原理及 其方法。 实验3霍尔效应实验 一、实验目的 1、了解半导体中霍尔效应的产生原理、霍尔系数计算公式的推导、测量过程中副 效应的产生和消除。 2、了解应用霍尔元件测量半导体材料霍尔系数、电阻率、载流子浓度和迁移率的 原理和方法。 二、实验原理 6 图1霍尔效应实验原理示意图a流子为电子(N型)b)找流子为空穴(P型) 1.霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当 带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向 上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场E:。如图1所示的半 导体试样，若在X方向通以电流1，，在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样AA'电 9 9 二、半导体材料基本性能测试 主要完成半导体材料电阻率测试、半导体材料霍尔效应测试（霍尔系数、电阻率、 载流子浓度、迁移率等）2 个实验。通过实验使学生掌握半导体基本性能的测量原理及 其方法。 实验 3 霍尔效应实验 一、实验目的 1、了解半导体中霍尔效应的产生原理、霍尔系数计算公式的推导、测量过程中副 效应的产生和消除。。 2、了解应用霍尔元件测量半导体材料霍尔系数、电阻率、载流子浓度和迁移率的 原理和方法。 二、实验原理 1．霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当 带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向 上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场 EH 。如图 1 所示的半 导体试样，若在 X 方向通以电流 S I ，在 Z 方向加磁场 B ，则在 Y 方向即试样 A-A / 电 图 1 霍尔效应实验原理示意图 a)载流子为电子（N 型） b）载流子为空穴（P 型） a S I EHA A' C C' FB FE  e v FB FE e v A A' C C' S I EH b d l V mA X Y Z b ＋ －