(二)离子镀(Ion- plating) 离子镀膜技术是60年代发展起来的一种薄膜制备方法,它是真空蒸发与溅 射相结合的工艺,即利用真空蒸发来制备薄膜,用溅射作用来清洁基片表面 Murakawa等人用磁场增强离子镀,在硅衬底上合成了较髙含量的立方氮化硼 薄膜。他们发现立方相的形成与偏压大小有关,而且成膜过程中必须有离子的轰 击。 作为一种离子镀技术,离子辅助电子束蒸发也是人们早期用于合成立方氮化 硼薄膜的方法之一。1987年, Inagawa等人用这种技术合成了几乎只含有立方 相的立方氮化硼薄膜 (三)脉冲激光沉积( Pulsed Laser deposition,PLD) PLD是八十年代后期发展起来的新型的薄膜制备技术。当一束强的脉冲激光 照射到靶上时靶就会被激光所加热、熔化、汽化直到变为等离子体,然后等离子 体(通常是在气体气氛中)从靶向衬底传输,最后是输运到衬底上的烧蚀物在衬 底上凝聚、成核直到形成一层薄膜。Do11等人最早报道了以PLD方法成功制 备出了立方氮化硼薄膜,膜厚100~120nm,ⅫRD分析表明立方氮化硼薄膜内立方 相的[100]方向与Si衬底表面平行, HRTEM图象分析得到cBN(100)面的晶面 间距为3.61A 此外C.Y. Zhang等人用射频等离子体增强脉冲激光沉积(RF- PEPLD), 以硅为衬底,在室温制备了高立方相含量的c-BN薄膜,薄膜的内应力很小,立 方相含量随射频功率和衬底负偏压的增大而增加 (四)化学气相沉积(CVD) 化学气相沉积制备c-N一般都是在等离子体的气氛中进行的,通常又被称 为等离子体辅助CVD( PACVD)。所用的工作气体为B2H+N2、B2H+NH3、 THaNH+H2 NaBH4+ⅦH3和HBN(CH3)3+N2等。在适当的工作气压、衬底温度、和衬底负偏压下 都能够获得一定含量的c-BN薄膜。张兴旺等人首先用离子束辅助CVD法在高 取向(001)金刚石膜上外延合成了高纯单晶c-BN膜,衬底温度为900℃,在c-BN 和金刚石中间没有h-BN存在,外延c-BN薄膜厚度为30nm,仅在波数为1075cm 处有一个很窄的峰,立方相含量100%,为高纯c-BN膜,吸收峰的半高宽为50cm, 结晶质量非常好。张文军四等人采用氟化学和金刚石中间层的组合,在Si衬底（二）离子镀（Ion-plating） 离子镀膜技术是 60 年代发展起来的一种薄膜制备方法，它是真空蒸发与溅 射相结合的工艺，即利用真空蒸发来制备薄膜，用溅射作用来清洁基片表面。 Murakawa 等人[17]用磁场增强离子镀，在硅衬底上合成了较高含量的立方氮化硼 薄膜。他们发现立方相的形成与偏压大小有关，而且成膜过程中必须有离子的轰 击。 作为一种离子镀技术，离子辅助电子束蒸发也是人们早期用于合成立方氮化 硼薄膜的方法之一。1987 年，Inagawa 等人[18]用这种技术合成了几乎只含有立方 相的立方氮化硼薄膜。 （三）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD） PLD 是八十年代后期发展起来的新型的薄膜制备技术。当一束强的脉冲激光 照射到靶上时靶就会被激光所加热、熔化、汽化直到变为等离子体，然后等离子 体（通常是在气体气氛中）从靶向衬底传输，最后是输运到衬底上的烧蚀物在衬 底上凝聚、成核直到形成一层薄膜。Doll 等人[19]最早报道了以 PLD 方法成功制 备出了立方氮化硼薄膜，膜厚 100~120nm，XRD 分析表明立方氮化硼薄膜内立方 相的[100]方向与 Si 衬底表面平行，HRTEM 图象分析得到 c-BN（100）面的晶面 间距为 3.6lÅ。 此外 C. Y. Zhang 等人[20]用射频等离子体增强脉冲激光沉积（RF-PEPLD）， 以硅为衬底，在室温制备了高立方相含量的 c-BN 薄膜，薄膜的内应力很小，立 方相含量随射频功率和衬底负偏压的增大而增加。 （四）化学气相沉积（CVD） 化学气相沉积制备 c-BN 一般都是在等离子体的气氛中进行的，通常又被称 为等离子体辅助 CVD（PACVD）。所用的工作气体为 B2H6+N2、B2H6+NH3、BH3NH3+H2、 NaBH4+NH3和 HBN(CH3)3+N2等。在适当的工作气压、衬底温度、和衬底负偏压下， 都能够获得一定含量的 c-BN 薄膜。张兴旺[21]等人首先用离子束辅助 CVD 法在高 取向（001）金刚石膜上外延合成了高纯单晶 c-BN 膜，衬底温度为 900℃，在 c-BN 和金刚石中间没有 h-BN 存在，外延 c-BN 薄膜厚度为 30nm，仅在波数为 1075cm-1 处有一个很窄的峰，立方相含量100％，为高纯c-BN膜，吸收峰的半高宽为50cm-1， 结晶质量非常好。张文军[22]等人采用氟化学和金刚石中间层的组合，在 Si 衬底