1)截止区 I c/mA UB小于死区电压(或发射结反偏)个饱和区 g=0;Ic=Icpo(穿透电流); 4B2=80HA 放大区 (2)放大区 B1=40A 发射结正偏,集电结反偏: lB=0截止区 CE 几乎无关 I大小l控制; 468 Uce/V △Ic》△lB C 定义β=△Lc/△I3=LC/B) gE:硅0.7v,锗0.3v B CE (3)饱和区 UBE>UcE(集电结正偏) RD BE/E E 集电极饱和电流Is<βIB; IC大小不再受l控制 E B E cs=(Ec-UCES /RO BS截止区 （1）截止区 UBE小于死区电压（或发射结反偏） IB =0；IC = ICEO （穿透电流）； （2）放大区 发射结正偏，集电结反偏： IC 与 UCE 几乎无关； IC 大小IB控制； △IC 》△IB 定义  = △IC /△IB = IC /IB ） UBE ：硅0.7v ; 锗0.3v （3）饱和区 UBE >UCE （集电结正偏）： 集电极饱和电流 ICS <  IB ； IC 大小不再受IB控制； ICS = （ EC - UCES ）/ RC ； ICS =  IBS U B C IB RB EB EC RC Ic IE E UCE UBE V