第一章半导体基础知识 自测题 、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的Us将沟道电 阻变小不是影响输入电阻 、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC 四、Uo1=6VU=5V(先假设稳压管正常工作即工作在稳压状态,求出R上的电流 I,以及R1上的电流L,再求出稳压管上的电流Lz,如果Lz>I⌒MN,则假设正确;否则稳压 管相当于开路。) 五、根据PcM=200mW可得(PcM= Ic Uce):UcE=40V时l=5mA,UCE=30V时 lc≈6.67mA,Uc=20V时lc=10mA,UcE=10V时lc=20mA,将改点连接成曲线,即为 临界过损耗线。图略。 六、1、 RD Ic=Blr=2.6m ICRO Uo=UcE=2V. 2、临界饱和时UCs=UBE=0.7V,所以 2.86mA R B Rb BB -U ≈45.4kQ 七、T1:恒流区:T2:夹断区:T3:可变电阻区。 习题 1.1(1)AC(2)A(3)C(4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 指数关系,当端电压为15V时管子会因电流过大而 烧坏。所以要加保护电阻 13和lo的波形如图所示1 第一章 `半导体基础知识 自测题 一、（1）√ 理论上可以吧 （2）×半导体电量平衡不带电 （3）√ （4）×集电极 电流少数载流子漂移运动产生 （5）√ （6）× 耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS将沟道电 阻变小不是影响输入电阻。 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈1.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V（先假设稳压管正常工作即工作在稳压状态，求出 R 上的电流 I，以及 RL 上的电流 IL，再求出稳压管上的电流 IZ，如果 IZ＞IZMIN，则假设正确；否则稳压 管相当于开路。） 五、根据 PCM＝200mW 可得（PCM＝IC UCE ） ：UCE＝40V 时 IC＝5mA，UCE＝30V 时 IC≈6.67mA，UCE＝20V 时 IC＝10mA，UCE＝10V 时 IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为 临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V 2.6mA 26μA V CE CC C C C B b BB BE B = − = = = = − = U I R I I R U I  UO＝UCE＝2V。 2、临界饱和时 UCES＝UBE＝0.7V，所以   − = = = = − = 45.4k V 28.6μA 2.86mA V B BB BE b C B c CC CES C I U R I I R U I  七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 指数关系，当端电压为 1.5V 时管子会因电流过大而 烧坏。所以要加保护电阻。 1.3 ui 和 uo 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 10 10