、漂移和扩散 半导体中有自由电子和空穴两种载流子,它们除了在电场作用下形成漂移电 流外,还会在浓度差的作用下产生定向的扩散运动,形成相应的扩散电流, 而导体中不存在扩散电流,也没有空穴漂移电流,只有自由电子在电场作用 下形成的漂移电流。 1、漂移电流:载流子在外加电场作用下,形成漂移电流,如下图1-2所示: 电场E 图1-2 若设J和Jm分别为空穴和自由电子的漂移电流密度(单位截面积的电流), 则它们分别为:Jn= qpupe Jnt=-(-q)nuE 总的漂移电流密度:J=Jn址Jm,式中p和n分别为空穴和自由电子的浓度, q为电子电荷量,E为外加电场强度,μ和μ分别为空穴和自由电子的迁移率三、漂移和扩散 半导体中有自由电子和空穴两种载流子，它们除了在电场作用下形成漂移电 流外，还会在浓度差的作用下产生定向的扩散运动，形成相应的扩散电流， 而导体中不存在扩散电流，也没有空穴漂移电流，只有自由电子在电场作用 下形成的漂移电流。 1、漂移电流：载流子在外加电场作用下，形成漂移电流，如下图1-2所示： 电场E⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯→ 若设Jpt和Jnt分别为空穴和自由电子的漂移电流密度（单位截面积的电流）， 则它们分别为： Jpt=qpPE Jnt = -（-q）nnE 总的漂移电流密度：Jt= Jpt+ Jnt，式中p和n分别为空穴和自由电子的浓度， q为电子电荷量，E为外加电场强度，P和n分别为空穴和自由电子的迁移率 + V — 图1-2