正在加载图片...
反型层电荷 P型硅杂质浓度 QIN=O N=1021m3 1.0V∨ U=2.2V 3.0V 表面势与栅极电压的关系ФS UG P型硅杂质浓度 Nd=1021m-3 反型层电荷 QINV=0 1.0V 1.4V Uth= 2.2V 3.0V 表面势与栅极电压的关系
<<向上翻页向下翻页>>
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有