点击下载:中国计量大学(中国计量学院):《光电技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第九讲 电荷耦合器件(CCD)
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反型层电荷 P型硅杂质浓度 QIN=O N=1021m3 1.0V∨ U=2.2V 3.0V 表面势与栅极电压的关系ФS UG P型硅杂质浓度 Nd=1021m-3 反型层电荷 QINV=0 1.0V 1.4V Uth= 2.2V 3.0V 表面势与栅极电压的关系
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