三、晶体三极管模型: 有数学模型、简化电路模型、通用模型、小信号(交流)模型 伏安特性曲线模型,本节先讲前两种。 1.数学模型(指数模型):三极管工作在放大模式下,三个极的 电流大小受正偏电压Vg的控制,而各电流之间的关系是线性的 由上述电流传输方程可见),通过三极管发射结的伏安关系 可得:l= FEBSIEXP(VB/Vr)-1]l≈ IEBSEXP(VB/Vr)(P46-1 上式中E为发射结的反向饱和电流,其详细推导见教材第三版。 由传输方程得lc≈aLE= a IEDsEXP(VB/Vr) (P46-2) ISEXP (VBE/VT B≈LE/(1+β)≈LC/β LS EXP VBE 2.简化电路模型:三极管发射结相当于一个正偏二极管,集电结 相当于一个受控电流源(受发射结正偏电压)控制,而发射结 正偏电压决定I和I得大小,故受控电流源也可看成是受I或B 控制的由滀控制由滀順甘篙由胶精刑加三、晶体三极管模型： 有数学模型、简化电路模型、通用模型、小信号（交流）模型、 伏安特性曲线模型，本节先讲前两种。 1. 数学模型（指数模型）：三极管工作在放大模式下，三个极的 电流大小受正偏电压VBE的控制，而各电流之间的关系是线性的 （由上述电流传输方程可见），通过三极管发射结的伏安关系 可得： IE=IEBS[EXP（VBE/VT）-1]  IEBSEXP（VBE/VT） （P46-1） 上式中IEBS为发射结的反向饱和电流，其详细推导见教材第三版。 由传输方程得IC   IE =  IEBSEXP（VBE/VT） ----------（P46-2） = ISEXP（VBE/VT） IB  IE / （1+ ）  IC /   2. 简化电路模型：三极管发射结相当于一个正偏二极管，集电结 相当于一个受控电流源（受发射结正偏电压）控制，而发射结 正偏电压决定IE和IB得大小，故受控电流源也可看成是受IE或IB 控制的电流控制电流源。其简 化电路模型如下： IS  EXP（VBE/VT）