④输入电阻Rs 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对于 结型场效应三极管,反偏时Rcs约大于10g,对于 绝缘栅型场效应三极管,Ros约是109~101 ⑤低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用, 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转移特 性曲线上求取,单位是mS(毫西门子) ⑥最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM=Dsl决定,与双极型 三极管的PCM相当。④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特 性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM = VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当