系数为B)。 RRR 12.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负 载上可能获得的最大 、选择题(本题12分,共6题) 1用万用表直流电压挡,测得电路中晶体管各电极相对于某一参考点的电位如下图所示 从而可判断出该晶体管工作在 A.饱和状态 B.放大状态 +4.3v C.倒置状态 D.截止状态 2.共模抑制比越大表明电路 A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.输入信号中差模成分越大D.抑制温漂能力越大() 3在单管共射放大器中 A.i。与v反相B.v与i同相 C.v与v同相D.v与v反相 4.一个放大器由两个相同的放大级组成。已知每级的通频带为10kHz,放大器的总通频 带是 A. 10kHz C.大于10kHz D.小于10kHz 5.某场效应管的转移特性如下图所示,该管为 A.P沟道增强型MOS管 lin/mA B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管() 6差分放大电路共模抑制比KCM越大表明电路 放大倍数越稳定B.抑制温漂能力越强,性能好- 2 - 系数为β）。 Ri1= Ri2= Ri3= 12.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负 载上可能获得的最大 。 二、选择题（本题 12 分，共 6 题） 1.用万用表直流电压挡，测得电路中晶体管各电极相对于某一参考点的电位如下图所示。 从而可判断出该晶体管工作在 A. 饱和状态 B. 放大状态 C. 倒置状态 D. 截止状态 （ ） 2. 共模抑制比越大表明电路 A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 输入信号中差模成分越大 D. 抑制温漂能力越大 （ ） 3.在单管共射放大器中 A. io 与 vi 反相 B. vo 与 io 同相 C. vo 与 vi 同相 D. vo 与 vi 反相 （ ） 4.一个放大器由两个相同的放大级组成。已知每级的通频带为 10kHz，放大器的总通频 带是 A. 10kHz B. 20kHz C. 大于 10kHz D. 小于 10kHz （ ） 5.某场效应管的转移特性如下图所示，该管为 A. P 沟道增强型 MOS 管 B. P 沟道结型场效应管 C. N 沟道增强型 MOS 管 D. N 沟道耗尽型 MOS 管 （ ） 6.差分放大电路共模抑制比 KCMR 越大表明电路 A. 放大倍数越稳定 B. 抑制温漂能力越强，性能好