516 固体电子学研究与进展 逐渐下降,在频率10MHz时,电感降到0.326pH。[4] Soohoo R F, Magnetic thin film inductors for 这与坡莫合金材料的磁导率随着频率的升高而下降 integrated circuit applications [J]. IEEE TraI 以及趋肤效应有关。而Q值随着频率的升高,从1 Magn,1979;6:1803-1805 [5 Yamaguchi M, Matsumoto M, Ohzeki H, et al MHz时的1.5上升到10MHz的4.2[图4(b)] Analysis of the inductance and the stray capacitance of the dry-etched micro inductors [J]. IEEE. Trans 5结论 Magan,l991;17(3):5274-5276 [6] Kim Y J, Allen M G. Integrated solenoid-type inductors for high frequency applications and their 利用MEMS方法制作了磁芯螺线管微电感 haracteristics[A]. 1998 Electronic Components and 器件。该方法研制的微电感器件,具有工作频率高 Technology Conference [C]. 1998: 1 247-1 252 尺寸小、高的电感量、高品质因子低成本和批量化[7] Ahn C H, Allen M G. Micromachined planar 生产等优点。经测试,在1MHz频率下,其电感为 inductors on silicon wafers for MEMS applications [J]. IEEE Trans Indust Electr. 1998: 45(6):866-876 0.408HQ值为1.6;随着频率的升高,电感值下[8]NamC, Choi w, Chun K. Electro plated solenoid 降,而Q值增大。该方法研制的器件可与集成电路 type inductors for CMOS RF VCO [A]. Proc of 工艺相兼容,因此具有广阔的应用前景。 SPIE on Micromachining and Microfabrication[C]. 2000:10-16 参考文献 [9 Park J Y, Allen M G Integrated electroplat e micro- machined magnetic devices using low temperature fabrication process [J]. IEEE Trans Electronic [1 Park J W, Allen M G, Ultralow-profile micro- Packaging Manuf, 2000: 23: 48-55 machined power inductors with highly laminate Ni/ [10 Liu C Chen X L, Yan J L, et al. A novel lateral Fe cores: application to low-megahertz DC-DC sole-noidal on-chip integrated inductor imple- converters [J]. IEEE Trans Magn,2003: 39: 3184- mented in conventional Si process [J].Chinese Journal of Semiconductors, 2002: 23(4): 352-356 [2] Zhuang Y. Rejaei B, Boellaard E, et al. Integrated solenoid inductors with patterned sputter-deposited 高孝裕( GAO Xiaoyu)男,1977生,博 Cr/Feno Cogo/Cr ferromagnetic cores [J]. IEEE 士研究生,上海交通大学微纳科学技术 Electron Device Lett. 2003: 24: 224-226 研究院,主要从事磁性薄膜微电感及相 [3] Prieto M J Pernia A M. Lopera J M.et al. Design 关射频器件方面的研究 and analysis of thick-film integrated inductors for power converters [J]. IEEE Trans Industry Application, 2002: 38: 543-55 (上接第459页) 牛萍娟( NIU Pingjun)女,天津工业大 [8]牛萍娟.异质结双极型晶体管外延材料与器件研究. 学副教授,1973年9月出生,2002年毕业 中国科学院物理研究所博士后研究工作报告 于天津大学电子信息工程学院,获得微电 [9]牛萍娟,郭维廉,梁惠来,共振隧穿二极管的直流模型 子学与固体电子学博士学位。2003年10 及其双稳态特性[J].半导体学报,2001;22(9) 月中国科学院物理所博士后出站。主要从 [10] Niu P J, Guo W I, Liang H L, et al. Circuit 事化合物半导体器件及集成电路,单片及 of rtd and HPT monolithic .混合光电集成电路的研究工作。 optoelectronic integration[A]. Proceedings of SPIE- The International Society for Optical engineering 郭维廉( GUO Weilian)男,天津大学 C].2002;4119:44 和天津工业大学电子信息工程学院教 授,1952年毕业于清华大学物理系 胡海蓉( HU Hairong)女,1979年9月 IEEE高级会员,中国电子学会会士,近 出生,2003年毕业于山东师范大学物理 期研究方向包括量子隧穿器件、SO1集 系电子信息工程专业,获工学学士学位。 成电路、光电负阻器件等。 现为天津工业大学信息与通信学院物理 电子专业硕士研究生,主要从事化合物 万方数据导体器件的研究。逐渐下降!在频率 "#$%&时!电感降到 #’()*+%, 这与坡莫合金材料的磁导率随着频率的升高而下降 以及趋肤效应有关,而 -值随着频率的升高!从 " $%&时的 "’.上升到 "#$%&的 /’)0图 /1234, . 结 论 利 用 $5$6方 法 制 作 了 磁 芯 螺 线 管 微 电 感 器件,该方法研制的微电感器件!具有工作频率高7 尺寸小7高的电感量7高品质因子7低成本和批量化 生产等优点,经测试!在 "$%&频率下!其电感为 #’/#8+%!-值为 "’*9随着频率的升高!电感值下 降!而 -值增大,该方法研制的器件可与集成电路 工艺相兼容!因此具有广阔的应用前景, 参 考 文 献 0"4 :;<= > ?!@AABC $ D’EAF<;AGHIJ<GKLAB MLN<GI M;NOLCBPJGHB<LCPQNFG<RHLFOOLSOATA;MLC;FBULV WB NG<BRX;JJALN;FLGC FG AGHIMBS;OB<F& YZIYZ NGC[B<FB<R0>4’\555 ]<;CR$;SC!)##(9(^X("8/I ("8* 0)4 _OQ;CS‘!aBb;BLc!cGBAA;;<P5!BF;A’\CFBS<;FBP RGABCGLPLCPQNFG<RHLFOJ;FFB<CBPRJQFFB<IPBJGRLFBP Z<VWB"# ZG^#VZ< KB<<GM;SCBFLN NG<BR0>4’\555 5ABNF<GCYB[LNBdBFF!)##(9)/X))/I))* 0(4 :<LBFG$ >!:B<CL;@ $!dGJB<;>$!BF;A’YBRLSC ;CP;C;ATRLRGKFOLN=IKLAM LCFBS<;FBPLCPQNFG<RKG< JGHB< NGC[B<FB<R 0>4’ \555 ]<;CR \CPQRF<T @JJALN;FLGC!)##)9(8X./(I..) 0/4 6GGOGG a W’ $;SCBFLN FOLC KLAM LCPQNFG<R KG< LCFBS<;FBP NL<NQLF ;JJALN;FLGCR0>4’\555 ]<;CR $;SC!"^e^9*X"8#(I"8#. 0.4 ‘;M;SQNOL$!$;FRQMGFG $!fO&B=L%!BF;A’ @C;ATRLRGKFOBLCPQNF;CNB;CPFOBRF<;TN;J;NLF;CNB GKFOBP<TIBFNOBPMLN<GLCPQNFG<R0>4’\555 ]<;CR $;S;C!"^^"9"e1(3X.)e/I.)e* 0*4 gLM ‘ >!@AABC $ D’ \CFBS<;FBP RGABCGLPIFTJB LCPQNFG<RKG<OLSOK<BhQBCNT;JJALN;FLGCR;CPFOBL< NO;<;NFB<LRFLNR0@4’"^^85ABNF<GCLNZGMJGCBCFR;CP ]BNOCGAGSTZGCKB<BCNB0Z4’"^^8X")/eI").) 0e4 @OC Z %! @AABC $ D’$LN<GM;NOLCBP JA;C;< LCPQNFG<RGCRLALNGCH;KB<RKG<$5$6;JJALN;FLGCR 0>4’\555]<;CR\CPQRF5ABNF<!"^^89/.1*3X8**I8e* 084 U;M Z!ZOGL?!ZOQCg’5ABNF<GJA;FBPRGABCGLPI FTJBLCPQNFG<RKG<Z$f6 aW iZf0@4’:<GNGK 6:\5GC$LN<GM;NOLCLCS;CP$LN<GK;2<LN;FLGC0Z4’ )###X"#I"* 0^4 :;<=>‘!@AABC$ D’\CFBS<;FBPBABNF<GJA;FBMLN<GI M;NOLCBPM;SCBFLNPB[LNBRQRLCSAGH FBMJB<;FQ<B K;2<LN;FLGC J<GNBRR0>4’\555 ]<;CR 5ABNF<GCLN :;N=;SLCS$;CQK!)###9)(X/8I.. 0"#4 dLQZ!ZOBCj d!‘;C>d!BF;A’@ CG[BAA;FB<;A RGABICGLP;A GCINOLJ LCFBS<;FBP LCPQNFG< LMJABI MBCFBP LC NGC[BCFLGC;A6LJ<GNBRR0>4’ZOLCBRB >GQ<C;AGK6BMLNGCPQNFG<R!)##)9)(1/3X(.)I(.* 高 孝裕1D@f jL;GTQ3 男!"^ee生!博 士研 究 生!上 海 交 通 大 学 微 纳 科 学 技 术 研究 院!主 要 从 事 磁 性 薄 膜 微 电 感 及 相 关射频器件方面的研究 kkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkk , 1上接第 lmn页3 084 牛萍娟’异质 结 双 极 型 晶 体 管 外 延 材 料 与 器 件 研 究’ 中国科学院物理研究所博士后研究工作报告 0^4 牛萍娟!郭维廉!梁惠来’共振隧穿二极管的直流模型 及其双稳态特性0>4’半导体学报!)##"9))1^3X""e" 0"#4 ULQ : >!DQG? d!dL;CS% d!BF;A’ZL<NQLF RLMQA;FLGC GK a]Y ;CP %:] MGCGALFOLN GJFGBABNF<GCLNLCFBS<;FLGC0@4’:<GNBBPLCSRGK6:\5I ]OB\CFB<C;FLGC;A6GNLBFT KG<fJFLN;A5CSLCBB<LCS 0Z4’)##)9/""^X// 胡海蓉1%E %;L<GCS3 女!"^e^年 ^月 出生!)##(年毕业于山东师范大学物理 系电子信息工程专业!获工学学士学位, 现为天津工业大学信息与通信学院物理 电子 专 业 硕 士 研 究 生!主 要 从 事 化 合 物 半导体器件的研究, 牛萍娟1U\E :LCSbQ;C3 女!天津工业大 学副教授!"^e(年 ^月出生!)##)年毕业 于天津大学电子信息工程学院!获得微电 子学与固体电子学博士学位,)##(年 "# 月中国科学院物理所博士后出站,主要从 事化合物半导体器件及集成电路!单片及 混合光电集成电路的研究工作, 郭维 廉1DEf ?BLAL;C3 男!天 津 大 学 和 天 津 工 业 大 学 电 子 信 息 工 程 学 院 教 授!"^.)年 毕 业 于 清 华 大 学 物 理 系! \555高 级 会 员!中 国 电 子 学 会 会 士!近 期 研 究 方 向 包 括 量 子 隧 穿 器 件76f\集 成电路7光电负阻器件等, *". 固 体 电 子 学 研 究 与 进 展 ).卷 万方数据