霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中 洛伦兹力作用的结果:Um=KmB 溶伦兹力:F=pvB电荷聚集,UH产生 静场产生反力:F=eEu=2Cmbb为霍尔元件 平衡时:F=FE,-EB=-已Ub的宽度 UH= bvB d为霍尔元件的厚度 I为控制电流:IdQt=bdvn(-e) bv=l/d n(-el 则:Um=IB/|dn(-e) n为单位体积内自由电子数 歌R=1/n(-e) 霍尔常数,由半导体材料决定 则:Um=RHIB/d 歌KH=RH/d则:Um=KHIBd为霍尔元件的厚度 洛伦兹力：FL=- ev B 电荷聚集， UH产生 静电场产生反力： FE=- e EU = - e UH /b 平衡时： FL= FE ， - ev B= - e UH /b UH= bvB I 为控制电流： I= dQ/ dt = b d v n( - e) b v = I / [d n( - e)] 则： UH= I B / [d n( - e)] 取 RH= 1 / [n( - e)] 霍尔常数, 由半导体材料决定 则： UH= RH I B/ d 取 KH= RH / d 则： UH= KH I B 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中 洛伦兹力作用的结果： UH=KHIB b为霍尔元件 的宽度 n为单位体积内自由电子数