居里温度写入:磁性膜中需要记录的部分 被激光照射加热,温度上升到Tc以上,该 部分变为非磁性,在其冷却过程中,受其 周围基体反磁场作用,会发生磁化反转 如果通过线圈或永磁体外加磁场,则可实 现磁化的完全反转。 补偿温度写入:铁磁体垂直磁化膜的磁补 偿温度应在室温附近。当这种铁磁体被激 光加热到较高温度,该温度下对应的矫玩 力比室温时的矫玩力要低的多,这样,在 较弱的外磁场下即可容易地实现磁化反转居里温度写入：磁性膜中需要记录的部分 被激光照射加热，温度上升到Tc以上，该 部分变为非磁性，在其冷却过程中，受其 周围基体反磁场作用，会发生磁化反转。 如果通过线圈或永磁体外加磁场，则可实 现磁化的完全反转。 补偿温度写入：铁磁体垂直磁化膜的磁补 偿温度应在室温附近。当这种铁磁体被激 光加热到较高温度，该温度下对应的矫玩 力比室温时的矫玩力要低的多，这样，在 较弱的外磁场下即可容易地实现磁化反转