电工电子披术第6章电子技术中常用半导体器件 3.PN结 P型和N型半导体并不能直接用来制造半导体器件。通常是在N型或 P型半导体的局部再掺入浓度较大的三价或五价杂质,使其变为P型或N 型半导体,在P型和N型半导体的交界面就会形成PN结。 三PN结是构成各种半导体器件的基础。 负离子 耗尽、些子型和N型半导体。为便于理解,图中P区仅 左图所示的是一块晶片,两边分别形成P 区空间电荷区 eee由画出空穴(多数载流子)和得到个电子的 eOO⊕⊕⊕三价杂质负离子,N区仅画出自由电子(多 e⊙子根据扩散康理,空要从浓度高的P 向N区扩散,自由电子要从浓度高的N区向P 内电场 区扩散,并在交界面发生复合(耗尽),形 成载流子极少的正负空间电荷区如图中间区 平衡状态下的结 域,这就是PN结,又叫耗尽层。 正负空间电荷在交界面两侧形成一个由N区指向P区的电场,称为内电场,它对 多数载流子的扩散运动起阻挡作用,所以空间电荷区又称为阻挡层。同时,内电场对 少数载流子起推动作用,把少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动 第3页正负空间电荷在交界面两侧形成一个由N区指向P区的电场，称为内电场，它对 多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。同时，内电场对 少数载流子起推动作用，把少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。 3. PN结 P型和N型半导体并不能直接用来制造半导体器件。通常是在N型或 P型半导体的局部再掺入浓度较大的三价或五价杂质，使其变为P型或N 型半导体，在P型和N型半导体的交界面就会形成PN结。 PN结是构成各种半导体器件的基础。 左图所示的是一块晶片，两边分别形成P 型和N型半导体。为便于理解，图中P区仅 画出空穴（多数载流子）和得到一个电子的 三价杂质负离子，N区仅画出自由电子（多 数载流子）和失去一个电子的五价杂质正离 子。根据扩散原理，空穴要从浓度高的P区 向N区扩散，自由电子要从浓度高的N区向P 区扩散，并在交界面发生复合(耗尽），形 成载流子极少的正负空间电荷区如图中间区 域，这就是PN结，又叫耗尽层。 第3页