VDS VGS =v 根据电路可知： VDS YGs -VGs(th) 当vGs>Vcsh 时，EMOS管工作在饱和区 则 21 即 -Ys足 21v v v DS = GS = i i D = iD S G D vDS 根据电路可知： DS GS VGS(t h) v  v − 当 vGS  VGS(t h) 时，EMOS管工作在饱和区 则 2 ( ) ( ) 2 G S G S t h n o x D v V l C W i = −  即 2 ( ) ( ) 2 GS t h n ox v V l C W i = −  R i v