授课教案 第六章发光器件 ,满足同相相位相加的条件 A+B=m/n(m为整数) (6.19) 即 nA(l+sin0)=m入 (6.20 对激光器需满足0=π2，由上式可得布喇格衍射条件为 27A=m (6.21) 图6.47布喇格衍射原理图 2.量子阱激光器(QW-LD) 将普通的双异质结激光器有源层厚度做成数十纳米以下，载流子的活动从三 维变为二维。在垂直于有源层的方向，载流子动量可用量子化能量表示。该超薄 人造周期性结构称为超品格结构，即量子阱。从结构上看，量子阱是将窄带隙的 有源区夹在宽带隙的半导体材料之间形成的一种层状结构，有单量子阱和多量子 阱两种结构。 nP衬底 爱盖区 GAs村底究s覆盖区 InGaAs量子阱 图6.48单量子阱结构 图6.49多量子阱结构 量子阱效应：窄势阱的量子效应，使载流子拉开并使有源区的异质结出现导带和 价带的突变。 产生条件：有源区厚度小于电子的德布罗意波长。 量子阱作用：低能带隙的有源区为电子和空穴创造了势阱，将载流子限制在很薄 授课教案 第六章 发光器件 I’,I”满足同相相位相加的条件 =+Λ mB λ η （m 为整数） （6.19） 即 η +Λ θ )sin1( = mλ （6.20） 对激光器需满足θ = π 2 ，由上式可得布喇格衍射条件为 2η =Λ mλ （6.21） 图 6.47 布喇格衍射原理图 2. 量子阱激光器（QW-LD） 将普通的双异质结激光器有源层厚度做成数十纳米以下，载流子的活动从三 维变为二维。在垂直于有源层的方向，载流子动量可用量子化能量表示。该超薄 人造周期性结构称为超晶格结构，即量子阱。从结构上看，量子阱是将窄带隙的 有源区夹在宽带隙的半导体材料之间形成的一种层状结构，有单量子阱和多量子 阱两种结构。 图 6.48 单量子阱结构 图 6.49 多量子阱结构 量子阱效应：窄势阱的量子效应，使载流子拉开并使有源区的异质结出现导带和 价带的突变。 产生条件：有源区厚度小于电子的德布罗意波长。 量子阱作用：低能带隙的有源区为电子和空穴创造了势阱，将载流子限制在很薄 26