第四节 可变电阻区（非饱和区） I区对应预夹断前，uGs>UT,uDs很小，uGD>Ur的 情况。 支特 ①若uGs不变，沟道电阻"Ds ip(mA) 不变，D随uDs的增大而线性 6 WGS-6V 5 Ⅱ 上升。 ②uGs变大，rDs变小，看作 由电压uGs控制的可变电阻。 246810121416sV N沟道增强型MOS管的输出特性可变电阻区（非饱和区） 2 4 6 8 1012 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ区对应预夹断前，uGS>UT，uDS很小，uGD>UT的 情况。 ①若uGS不变，沟道电阻rDS 不变，iD随uDS的增大而线性 上升。 ②uGS变大， rDS变小，看作 由电压uGS控制的可变电阻。 Ⅰ Ⅱ 第四节