IGBT、 MOSFET都是最常用的电压控制型开 关器件。它们共同的特点是:控制极(栅极回路) 都可以等效为一个电容器 栅极回路的击穿电压BVs均 Ra 为±20V,一般使用中不超过 ±15V,实用的典型栅极电路(M)Wy 如图所示: gs Rg是栅极驱动限流电阻,Rg越小栅极获得的 驱动电流越大,开关器件的开关速度越快。 太小的Rg会造成驱动电路负荷过重,例如,驱动 电路输出电流峰值b=2(八),输出电压∨o=15(V)时,IGBT、MOSFET都是最常用的电压控制型开 关器件。它们共同的特点是：控制极（栅极回路） 都可以等效为一个电容器。 栅极回路的击穿电压BVGS均 为±20V，一般使用中不超过 ±15V，实用的典型栅极电路 如图所示： Rg Rgs W1 W2 Vgs Rg是栅极驱动限流电阻， Rg越小栅极获得的 驱动电流越大，开关器件的开关速度越快。 太小的Rg会造成驱动电路负荷过重，例如，驱动 电路输出电流峰值Ip=2(A)，输出电压VO=15(V)时