集电区收集扩散过来的电子 集电结所加的是反向电压，集电结势垒由V增加到V。+Vc。集电 结势垒很高，使集电区的电子和基区的空穴很难通过集电结， 但这个势垒对基区扩散到集电结边缘的电子却有很强的吸引 力，可使电子很快地漂移过集电结为集电区所收集，形成集电 极电流Ic 另一方面，根据反向PN结的特性，当集电结加反向电压时，基 区中少数载流子电子和集电区中少数载流子空穴在结电场作用 下形成反向漂移电流，这部分电流决定于少数载流子浓度，称 为反向饱和电流Ico,它的数值很小，对放大没有贡献，而且受 温度影响很大，容易使管子工作不稳定，所以在制造过程中要 尽量设法减小McBo。 99 集电区收集扩散过来的电子 ™ 集电结所加的是反向电压，集电结势垒由 Vo增加到 Vo+Vcc。集电 结势垒很高，使集电区的电子和基区的空穴很难通过集电结， 但这个势垒对基区扩散到集电结边缘的电子却有很强的吸引 力，可使电子很快地漂移过集电结为集电区所收集，形成集电 极电流IC 。 ™ 另一方面，根据反向PN结的特性，当集电结加反向电压时，基 区中少数载流子电子和集电区中少数载流子空穴在结电场作用 下形成反向漂移电流，这部分电流决定于少数载流子浓度，称 为反向饱和电流 ICBO，它的数值很小，对放大没有贡献，而且受 温度影响很大，容易使管子工作不稳定，所以在制造过程中要 尽量设法减小ICBO