第七章 半导体存储器 1本章习题类型与解题方法 本章习憲屮的绝大部分都属于以下两种类型:一类是存储器扩展容量的方 法,另一类是用存储器设计组合逻辑电路。 、存储器扩展容量的方法 解题方法和步骤: (1)位扩展方法。在…片存储器芯片的字数够用而每个字的位数不够用 时,可以用位扩展连接方法将多片存储器组合成输出数据位数更多的存储器。 连接的方法是将各片的地址线、读/写挖制线(R/W)片选线(CS)分别并 联起来。如果每…片输出的数据是m位,则按上述方法用n片组合成的存储器 将有m×n位数据输出 (2)字扩展接法。在一片存储器芯片的字数不够用而每个字的位数够用 时,可以用字扩展接法将多片存储器芯片组合成字数更多的存储器。 连接的方法是将各片的地址线、读/写控制线(R/W)、数据输出线分别并联 起来,然后通过每一片的片选(CS)信号,来区分地址代码选中的是哪…片中的 存储单元。各片的片选信号由地址代码的附加位译出。如果每片存储器芯片的 字数为p,则按上述方法将n片存储器芯片组合成的存储器将可存储Pxn个 字 (3)如果一片存储器芯片的字数和位数都不够用,则可同时采用位扩展接 法和字扩展接法,将多片存储器芯片组合成一个有更多字数和位数的存储器。 【例7-1】试使用1024×4位的RAM芯片组合成一个4096×8位的存 储器。 解:因为4096×8/1024×4=8,所以需要用8片1024×4位的存储器芯