输入特性曲线:l2=fin(VBE)M=常数 实测输入特性曲线如下所示,其与二极管类似,不过它与VE 有关,当参变量Vcε增大时,曲线将向右移动,即当VBE一定, 随着Vc增大,I将相应减小。 0.3V 10V 基区宽度调制效应:VcE=VcB+VB,Vcε增加,Veg增加,即集 电结反偏电压增加,集电结阻挡层宽度增大,导致基区宽度减小,因 而由发射区注入的自由电子在向集电结扩散过程中与基区孔穴复合 机会减少,即复合电流减小,导致I减小。反偏击穿电压在6V左右一、输入特性曲线： IB= f 1E（VBE）|VCE=常数 实测输入特性曲线如下所示，其与二极管类似，不过它与VCE 有关，当参 变量VCE增大时，曲线将向右移动，即当VBE一定， 随着VCE增大， IB将相 应减小。 由上图可见，当VCE<0.3V时，三极管处于饱和区，相应的IB较大， 而当 VCE大于0.3V后，三极管工作在放大区，这时VCE在很大范围变 化时，IB 几乎不变，只是略有减小，原因可用基区宽度调制效应来 解释。 VCE=0 10V 0.3V VBE IB 0 基区宽度调制效应： VCE = VCB +VBE ， VCE增加， VCB增加，即集 电结反偏电压增加，集电结阻挡层宽度增大，导致基区宽度减小，因 而由发射区 注入的自由电子在向集电结扩散过程中与基区孔穴复合 机会减少，即复合电流减小，导致IB减小。 反偏击穿电压在6V左右