(1)栅源电压Vs的控制作用 (c)进一步增加vs,当Vs>V时, S G D 由于此时的栅极电压已经比较强, 栅极下方的P型半导体表层中聚集 ++++4+++ S102 较多的电子,将漏极和源极沟通, 形成沟道。如果此时Vm>0,就可下N+N=下1+ 以形成漏极电流l。在栅极下方导 电沟道中的电子,因与P型区的载 流子空穴极性相反,故称为反型 P衬底 电子 层。随着s的继续增加,反型层。空穴 变厚,b增加 负离子 B Ves>0→g吸引电子→反型层→导电沟道 Vcs个→反型层变厚→VDs↑→D个 栅源电压Vs的 控制作用动画（1）栅源电压VGS的控制作用 (c)进一步增加VGS，当VGS＞VT时， 由于此时的栅极电压已经比较强， 栅极下方的P型半导体表层中聚集 较多的电子，将漏极和源极沟通， 形成沟道。如果此时VDS>0，就可 以形成漏极电流ID。在栅极下方导 电沟道中的电子，因与P型区的载 流子空穴极性相反，故称为反型 层。随着VGS的继续增加，反型层 变厚，ID增加 VGS >0→g吸引电子→反型层→导电沟道 VGS →反型层变厚→ VDS →ID  栅源电压VGS的 控制作用动画