2、在MOS工艺下 NMOS、PMOS MNOS: Metal Nitride (g Oxide Semiconductor ( E)NMOS与( D)NMOS组成的单元 CMOS: Metal Gate CMOS HSCMOS: High Speed CMOs(硅栅CMOS) CMOS/SOS: Silicon on Sapphire (兰宝石上CMOS,提高抗辐射能力) VMOS: Vertical cmos(垂直结构CMOS 提高密度及避免 Latch-Up效应) 2021/2/212021/2/21 5 2、在MOS 工艺下 NMOS、PMOS： MNOS：Metal Nitride（氮） Oxide Semiconductor (E)NMOS与(D)NMOS组成的单元 CMOS: Metal Gate CMOS HSCMOS：High Speed CMOS （硅栅CMOS） CMOS/SOS：Silicon on Sapphire （兰宝石上CMOS，提高抗辐射能力） VMOS：Vertical CMOS（垂直结构 CMOS 提高密度及避免Latch-Up效应）