业精于勤而6楚 存储器类型与组成 6.1.2半导体存储技术发展 ◆CMOS工艺制造的DRAM,只需要1个晶体管和1个电 容就可以存储1位数据 ◆内存芯片制程工艺达到了45nm线宽。 ◆单内存芯片存储容量达到了2Gbit。 ◆DRAM与SRAM的性能差别在缩小。 ◆SRAM是对晶体管锁存器进行读写。 ◆DRAM是对存储器电容进行读写。 6 信息技术教学实验中心信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 6 业精于勤而荒于嬉 6.1 存储器类型与组成 6.1.2 半导体存储技术发展 ‹CMOS工艺制造的DRAM，只需要1个晶体管和1个电 容就可以存储1位数据。 ‹内存芯片制程工艺达到了45nm线宽。 ‹单内存芯片存储容量达到了2Gbit。 ‹DRAM与SRAM的性能差别在缩小。 ‹SRAM是对晶体管锁存器进行读写。 ‹DRAM是对存储器电容进行读写