第2期 杜永好,等:超材料完美吸波器研究进展 0.9996 nanostructure 0.9992 0.9988 0060090012001500180021002400 Wavelength/nm (a)3D结构示意图 (b)吸收光谱图 图6wang等提出的吸波器 Fig.6 The PMA proposed by Wang et alI 10 升Hz (a)结构示意图 (b)光谱图 图7 Chowdhury等提出的可调谐PM Fig. 7 The tunable PMA proposed by Chowdhury et al 1.6温度调控PMA 2011年,Zhu等设计出一种三层结构的 MA,顶层为200mm厚Au双开口谐振环,底 些半导体、金属氧化物、相变材料和超导层是200m厚的Au基板。中间介质层是对温 体的光学响应对温度的变化很敏感,所以将这些度敏感的60μm厚的锑化铟(lnSb)材料。此 材料应用于PMA的设计可以实现对太赫兹波的外,2015年,Du等设计的PMA以Si3N4为 温度调控。 基底层,VO2和Si作为中间介质层,半径为 34567891011 Wavelength/um (a)结构图 (b)光谱图 图8Du等提出的PMA Fig 8 The PMA propo(a) 3D 结构示意图 (b) 吸收光谱图 Bi2Te3 on Ag substrate w1=4 nm w2=200 nm Λ=200 nm H=3 000 nm h=100 nm Wavelength/nm 300 600 900 1 200 1 500 1 800 2 100 2 400 Absorptance 1.000 0 0.999 8 0.999 6 0.999 4 0.999 2 0.999 0 0.998 8 H K E y z x Pyramidal nanostructure w1 x H h Λ Λ Λ w2 h w2 w2 Substrate 图 6   Wang 等 [20] 提出的吸波器 Fig. 6    The PMA proposed by Wang et al[20] (a) 结构示意图 (b) 光谱图 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 Amplitude transmission σ=0 s/m σ=5 000 s/m 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 f/THz l=36 μm l=36 μm w=4 μm Si g=4 μm P=46 μm 图 7   Chowdhury 等 [21] 提出的可调谐 PMA Fig. 7    The tunable PMA proposed by Chowdhury et al[21] 1.6    温度调控 PMA 一些半导体、金属氧化物、相变材料和超导 体的光学响应对温度的变化很敏感，所以将这些 材料应用于 PMA 的设计可以实现对太赫兹波的 温度调控。 2011 年，Zhu 等 [22] 设计出一种三层结构的 PMA，顶层为 200 nm 厚 Au 双开口谐振环，底 层是 200 nm 厚的 Au 基板。中间介质层是对温 度敏感的 60 μm 厚的锑化铟 (InSb) 材料。此 外，2015 年，Du 等 [23] 设计的 PMA 以 Si3N4 为 基底层，VO2 和 Si 作为中间介质层，半径为 (a) 结构图 (b) 光谱图 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 Absorptivity 32 4 5 (a) 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Wavelength/μm z y x E H k r t1 a a tr~ts t6 Au Si VOx Si3N4 图 8   Du 等 [23] 提出的 PMA Fig. 8    The PMA proposed by Du et al[23] 第 2 期 杜永好，等：超材料完美吸波器研究进展 • 85 •