模拟电子技术基础 BJT的结构简介: PNP型三极管的结构 制造工艺: (1)发射区比基区、集电 区掺杂浓度大。 (2)集电结面积比发射区 |的大 (3)基区薄(几um几十 (m高频几um,低频几十um 因此发射区、集电区并不是 对称的。3 制造工艺： （1）发射区比基区、集电 区掺杂浓度大。 （2）集电结面积比发射区 的大。 （3）基区薄(几um——几十 um),高频几um，低频几十um 因此发射区、集电区并不是 对称的。 一、BJT的结构简介： PNP型三极管的结构 模拟电子技术基础