7.1.5器件氧化物的厚度 应用在硅材料器件中的二氧化硅随着作用 的不同其厚度差别是很大的,薄的氧化层主要 是MOS器件里的栅极,厚的氧化层主要用于场氧 化层,下面的表列出了不同厚度范围及其相对 应的主要用途。 二氧化硅厚度( 应用 60100 隧道栅极 150500 栅极氧化,电容绝缘层 200500 L00S氧化 20005000 腌膜氧化,表面钝化 300010000 场氧化7.1.5 器件氧化物的厚度 应用在硅材料器件中的二氧化硅随着作用 的不同其厚度差别是很大的，薄的氧化层主要 是MOS器件里的栅极，厚的氧化层主要用于场氧 化层，下面的表列出了不同厚度范围及其相对 应的主要用途。 隧道栅极 栅极氧化，电容绝缘层 LOCOS 化氧 腌膜氧化，表面钝化 场氧化 二氧化硅厚度 ( ) 应用 60~100 150~500 200~500 2000~5000 3000~10 000