01年 微细加工技术 第2期 microfabrication Technology 文章编号:10038213(2001)02005704 SU-85光刻胶的应用工艺研究 朱军,赵小林,倪智萍 (上海交通大学信息存储研究中心,上海2000 摘要:SU8系列负性光刻胶是一种新品光胶,它具有良好的光敏性和高深宽比,适 合于微机电系统, UV-LIGA和其它厚膜、超厚膜应用12)。介绍了利用SU85光剡 胶,采用UV曝光制备LlGA掩檨板所涉及的SU85工艺研究结果 关键词:微机电系统;高深宽比;SU8系列光刻胶; UV-LIGA 中图分类号:TN057文献标识码:A 引言 不多。以高深宽比介质微结构为模子,采用 电镀方法电镀出金属微结构仍具有高深宽比 随着信息技术的飞速发展,器件小型化特性,这是目前较为简便易行的工艺路线 是必然趋势,传统的微细加工技术已不能完S深刻蚀粉醛树脂光刻胶经多次甩胶得到 全满足MEMS或 MOEMS的发展要求。厚光刻胶是制备高深宽比介质微结构的有效 IGA技术正是为适应MMs与 MOEMS方法,但我们采用SU8光刻胶制备的微结 技术而发展起来的一种新的技术,它使微结构深宽比最大制备工艺最为简便。 构及微零件深宽比达到200以上,并可实现 前,对SU-8光刻胶的应用研究十分 微结构与微零件的批量生产。这是LIGA技有限。它对紫外线具有低光光学吸收特性 术采用X射线进行光刻而具有的优势,但ⅹ既使膜厚高达1000做改米所得图形边缘仍近 射线光刻需要同步辐射光源,这就带来了成乎垂直。SU8是一种应用前景广阔的新型 本高的缺点。SU8光刻胶是一种化学增幅光刻胶产品但它对工艺条件很敏感,因此实 型负性光刻胶,具有良好的光敏性和高深宽际应用中对工艺条件的研究及控制有一定的 比,适合于MEMS或 MOeMS, UV-LIGA和难度。本文报道我们在LGA掩模板研制中 其他超厚膜应用。它既克服了普通光刻采用所涉及的SU85光刻胶的特性研究 UV光刻深宽比不足的问题,又不存在LGA 工艺成本高的问题,因此直接采用SU8光2实验与分析 刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件是微 加工领域的一场革新。 2.1甩胶及前烘 目前能制作高深宽比金属微结构的技术 我们在试验中发现SU8光刻胶和基底 收稿日期:200040403 作者简介:朱军(1967),女,江苏如东人,固体电子学专业,硕士,删教授;赵小林(1954-),男,上海人,半 导体专业教授 万方数据2001证 第2期 微细加工技术 M]crofabrication’Fechn&ogy №2 2001 文章编号：1003—8213(2001)02·0057—04 SU一8 5光刻胶的应用工艺研究 朱军。赵小林．倪智萍 (上悔交通大学信息存储研究中心，上海200030) 摘要：SU一8系列负性光刻胶是一种新品光刻胶，它具有良好的光敏性和高深宽比，适 合于微机电系统，UV—L|GA和其它厚膜、超厚膜应用【1，2。。介绍了利用SU一8 5光刻 胶，采用UV曝光制备LIGA掩模板所涉厦的SU-8 5工艺研究结果。 关键词：微机电系统；高深宽比；SU-8系列光刻胶；UV-LIGA 中图分类号：TN305·7 文献标识码：A 1引言 随着信息技术的飞速发展．器件小型化 是必然趋势，传统的微细加工技术已不能完 全满足MEMs或MOEMS的发展要求。 I，IGA技术正是为适应MEMS与MOFMS 技术而发展起来的一种新的技术，它使微结 构及微零件深宽比达到200以上，并可实现 微结构与微零件的批量生产。这是LfGA技 术采用x射线进行光刻而具有的优势，但x 射线光刻需要同步辐射光源，这就带来了成 本高的缺点。SU一8光刻胶是一种化学增幅 型负性光刻胶，具有良好的光敏性和高深宽 比，适合于MEMS或MOEMS，UV—LIGA和 其他超厚膜应用。它既克服r普通光刻采用 uv光刻深宽比不足的问题，又不存在LIGA 工艺成本高的问题，因此直接采用SU一8光 刻胶来制备深宽比高的徽结构与微零件是微 加工领域的一场革新。 目前能制作高深宽比金属微结构的技术 不多。以高深宽比介质微结构为模于，采用 电镀方法电镀出金属微结构仍具有高深宽比 特性，这是目前较为简便易行的工艺路线。 Si深刻蚀，粉醛树脂光刻胶经多次甩胶得到 厚光刻胶是制备高深宽比介质微结构的有效 方法，但我们采用SU一8光刻胶制备的微结 构深宽比最大，制备工艺最为简便。 目前，对SU一8光刻胶的应用研究十分 有限。它对紫外线具有低光光学吸收特性， 既使膜厚高达1000微米，所得图形边缘仍近 乎垂直。SU-8是一种应用前景广阔的新型 光刻胶产品，但它对工艺条件很敏感，因此实 际应用中对工艺条件的研究及控制有一定的 难度。本文报道我们在LIGA掩模板研制中 所涉及的SU-8 5光刻胶的特性研究。 2实验与分析 2．1甩胶及前烘 我们在试验中发现SU一8光刻胶和基底 收稿日期：2000—04-03 作者简介：朱军(1967一)，女，江苏如东人，固体电子学专业。硕士，副教授；赵小林(1954一)，男，上海人，半 导体专业．教授。 万方数据