2.光敏传感器的基本特性 本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基 本特性。光敏传感器的基本特性则包括：伏安特性、光照特性等。其中光敏传感器在一定的 入射照度下，光敏元件的电流I与所加电压U之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照 度则可以得到一族伏安特性曲线。它是传感器应用设计时选并电参数的重要依据。光敏传感 器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性，有时光敏传感器的输出电压或电流与 入射光强之间的关系也称为光照特性，它也是光敏传感器应用设计时选择参数的币要依据之 。掌握光敏传感器基木特性的测量方法，为合理应用光敏传感器打好基础。 (1)光敏电阳 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。目前，光敏电阻应用 的极为广泛，可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻。利用光敏电阻制成的 光控开关在我们山常生活中随处可见。 当内光电效应发生时，光敏电阻电导率的改变量为： △o=△Pe4n+△ne4n (1) 在(1)式中，©为电荷电量，4p为空穴浓度的改变量，，为电子浓度的改变量，“表 示迁移率。 当两端加上电压U后，光电流为： A (2) 式中A为与电流垂直的表面，d为电极间的间距。在一定的光照度下，A。为恒定的值， 因而光电流和电压成线性关系。 光傲电阻的伏安特性如图1所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值 随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，而日没有饱和现象。 当然，与一般电阻一样光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值