模拟电子技术基础电子教案 第一章常用半导体器件主要授课内容 备注 80C20°C -----4 图1.2.3二极管的伏安特性 二、温度对二极管伏安特性的影响 1.温度每升高1℃,正向压降减小2~2.5mV 2.温度每升高10℃,反向电流约增大一倍 1.2.3二极管的主要参数 1.最大整流电流IF 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.反向击穿电压L(BR) 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏 甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压Z一般是L(BP的一半 3.反向电流IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电 性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅 管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍 4.最高工作频率M 二极管的上限频率 1.2.4二极管的等效电路 在一定的条件下,用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管的特性,并用之取 代电路中的二极管。能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路,也称为二极 管的等效模型 由伏安特性折线化得到的等效电路 1.理想二极管等效电路(a) 2.理想二极管与恒压源串联的等效电路(b) 3.折线等效电路(c) |+凸模拟电子技术基础 电子教案 - 6 - 第一章 常用半导体器件 主要授课内容 备 注 图 1.2.3 二极管的伏安特性 二、温度对二极管伏安特性的影响 1.温度每升高 1℃，正向压降减小 2～2.5mV； 2.温度每升高 10℃，反向电流约增大一倍； 1.2.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压 U(BR) 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏， 甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压 UR 一般是 U(BR)的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电 性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅 管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 最高工作频率 fM 二极管的上限频率 1.2.4 二极管的等效电路 在一定的条件下，用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管的特性，并用之取 代电路中的二极管。能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路，也称为二极 管的等效模型 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 1.理想二极管等效电路(a) 2.理想二极管与恒压源串联的等效电路(b) 3.折线等效电路(c)