有针尖与薄膜有良好的接触。 注意事项： )在拧动四探针架上的铜螺柱时，用手扶住四探针架，不要让四探针在样品表面 滑动，以免探针的针尖滑伤薄膜。 在拧动四探针支架上的铜螺柱时，不要拧得过紧，以免四探针的针尖严重刺伤样品 薄膜，只要四探针的所有针尖同样品薄膜有良好的接触即可。 6.使用SBI8精密直流电压电流源中的电流源部分，适当选扦“量程选择”的 按键以及适当调节“电流调节”的“粗调”和“细调”旋钮。 7.在样品上施加一个与磁场平行的恒定电流，并使磁场从零慢慢增大，测量不 同磁场下对应样品电压值，直到磁电阻不再增加（即达到饱和）为止，再将磁场慢慢 降为零，测量不同磁场下对应的电压值。然后让磁场反向，重复以上操作。 注意：保证磁场线圈电流调节的单调性。 8.在样品上施加一个与磁场垂直的恒定电流，重复以上的测量。 注意：在选择电流值时，最大的电流仙对应的电压值不能超过5毫伏，以免流 过薄膜的电流太大导致样品发热，从而影响测量的准确性。 注意：换测量样品时，一定要把恒流源的电流凋为零。 (二)数据处理： 1.将测量时所用的亥姆霍兹线圈电流值换算为相应的磁场数值。 2.分别将磁场与电流平行时以及磁场与电流垂直时测得的电压随磁场的变化值 输入计算机并整理，根据测出的电压值计算出所测NFe薄膜样品在不同磁场下的电 阻，再算出其电阻率。 3.分别将磁场与电流平行时以及磁场与电流垂直时测得的薄膜电阻随磁场的变 化进行整理，计算所测薄膜的磁电阻(MR)和各向异性磁电阻(AMR): 4.画出铁磁金属NFε薄膜的磁电阻(MR)和各向异性磁电阻(AMR)随磁场变化 的曲线： 讨论： 1.分析磁电阻随磁场变化的规律，并通过分析给予解释。 2.分析平行磁电阻与垂直磁电阻随磁场变化的特点，理解它们的关系与差别。 5454 有针尖与薄膜有良好的接触。 注意事项: a) 在拧动四探针架上的铜螺柱时，用手扶住四探针架，不要让四探针在样品表面 滑动，以免探针的针尖滑伤薄膜。 在拧动四探针支架上的铜螺柱时，不要拧得过紧，以免四探针的针尖严重刺伤样品 薄膜，只要四探针的所有针尖同样品薄膜有良好的接触即可。 6．使用 SBll8 精密直流电压电流源中的电流源部分，适当选扦“量程选择”的 按键以及适当调节“电流调节”的“粗调”和“细调”旋钮。 7．在样品上施加—个与磁场平行的恒定电流，并使磁场从零慢慢增大，测量不 同磁场下对应样品电压值，直到磁电阻不再增加(即达到饱和)为止，再将磁场慢慢 降为零，测量不同磁场下对应的电压值。然后让磁场反向，重复以上操作。 注意：保证磁场线圈电流调节的单调性。 8．在样品上施加—个与磁场垂直的恒定电流，重复以上的测量。 注意：在选择电流值时，最大的电流仙对应的电压值不能超过 5 毫伏，以免流 过薄膜的电流太大导致样品发热，从而影响测量的准确性。 注意：换测量样品时，一定要把恒流源的电流凋为零。 （二）数据处理： 1．将测量时所用的亥姆霍兹线圈电流值换算为相应的磁场数值。 2．分别将磁场与电流平行时以及磁场与电流垂直时测得的电压随磁场的变化值 输入计算机并整理，根据测出的电压值计算出所测 NiFe 薄膜样品在不同磁场下的电 阻，再算出其电阻率。 3．分别将磁场与电流平行时以及磁场与电流垂直时测得的薄膜电阻随磁场的变 化进行整理，计算所测薄膜的磁电阻(MR)和各向异性磁电阻(AMR)； 4．画出铁磁金属 NiFe 薄膜的磁电阻(MR)和各向异性磁电阻(AMR)随磁场变化 的曲线； 讨论： 1．分析磁电阻随磁场变化的规律，并通过分析给予解释。 2．分析平行磁电阻与垂直磁电阻随磁场变化的特点，理解它们的关系与差别