当采用高介电常数介质等非二氧化硅材料时，通 常采用等效氧化层厚度E0T表示栅介质层厚度tox CET对应于MOSFET反型时的等效电容厚度， 有 CETiny=EOT+tgm+tap Tace对应于MOSFET积累时的等效电容厚度， 有 CETac=EOT+tam• 当采用高介电常数介质等非二氧化硅材料时，通 常采用等效氧化层厚度EOT表示栅介质层厚度t ox • CETinv对应于MOSFET反型时的等效电容厚度， 有 CETinv =EOT+tqm +tdp • CETacc对应于MOSFET积累时的等效电容厚度， 有 CETacc =EOT+tqm