Ron R R (a) (b) 图2-2寄生电阻的影响 电阻Rn的取值一般在几十欧姆，而电容C的取值一般在几个pF之内。由 此可以估算，此零点的位置应该位于GHz之外，不会对滤波器的性能造成很大 的影响。相反，此零点会在高频处产生相位超前，可以在一定程度上补偿由于 有限带宽而导致的相位滞后[6]。如果将MOS开关管的WL取得较小，可以获 得较大的导通阻抗，使得零点位置靠近单位增益带宽，从而获得更好的频率响 应，但是这是以牺牲滤波器的线性度为代价的。 Opamp-RC滤波器的噪声贡献通常是由电阻主导的。相比与Gm-C滤波器 来说，Opamp-RC滤波器在噪声方面变现得更加优越，因为无源电阻的噪声贡 献比放大器组成的跨导要小许多。因此Opamp-RC滤波器通常应用于高动态范 围，高线性度的中低频系统中。 MOSFET-C滤波器和Opamp-RC滤波器的区别在于，MOSFET-C滤波器 用MOS管代替Opamp-RC滤波器中的电阻，其基本原理图如下： 图2-3 MOSFET-C滤波器示意图 Vc是控制信号，可以通过控制Vc获得精确的截止频率。然而MOSFET-C 88 图 2-2 寄生电阻的影响 电阻 Ron的取值一般在几十欧姆，而电容 C 的取值一般在几个 pF 之内。由 此可以估算，此零点的位置应该位于 GHz 之外，不会对滤波器的性能造成很大 的影响。相反，此零点会在高频处产生相位超前，可以在一定程度上补偿由于 有限带宽而导致的相位滞后[6]。如果将 MOS 开关管的 W/L 取得较小，可以获 得较大的导通阻抗，使得零点位置靠近单位增益带宽，从而获得更好的频率响 应，但是这是以牺牲滤波器的线性度为代价的。 Opamp-RC 滤波器的噪声贡献通常是由电阻主导的。相比与 Gm-C 滤波器 来说，Opamp-RC 滤波器在噪声方面变现得更加优越，因为无源电阻的噪声贡 献比放大器组成的跨导要小许多。因此 Opamp-RC 滤波器通常应用于高动态范 围，高线性度的中低频系统中。 MOSFET-C 滤波器和 Opamp-RC 滤波器的区别在于，MOSFET-C 滤波器 用 MOS 管代替 Opamp-RC 滤波器中的电阻，其基本原理图如下： vin vo C VC 图 2-3 MOSFET-C 滤波器示意图 VC 是控制信号，可以通过控制 VC 获得精确的截止频率。然而 MOSFET-C