cMoS制作中的一般掺杂工艺 工艺步骤 杂质掺杂方式 A.p+硅衬底 B Diffusi B.p外延层 B Diffusion C.倒掺杂n阱 lon Implant D.倒掺杂p阱 B lon Implant E.p沟道器件穿通 lon Implant F.p-沟道阈值电压(Vr)调整 P lon Implant 沟道器件穿通 B Ion Implant H.n-沟道阈值电压(Vr)调整 B lon Implant I.n沟道器件轻掺杂漏区①LDD) As Ion Implant J.n沟道器件源漏区(S/D) As lon Implant K.p-沟道器件(LDD) BFo Ion Implant L.p-沟道器件源漏区(S①) BF2 Ion Implant M硅 Ion implant N.多晶硅 Por B lon Implant Diffi O.SiO2掺杂 lon Implant P or B or Diffusion 半导体制造技术 Table 17.2 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda CMOS 制作中的一般掺杂工艺 工艺步骤 杂质 掺杂方式 A. p+ 硅衬底 B Diffusion B. p- 外延层 B Diffusion C. 倒掺杂 n 阱 P Ion Implant D. 倒掺杂 p 阱 B Ion Implant E. p-沟道器件穿通 P Ion Implant F. p-沟道阈值电压（VT）调整 P Ion Implant G. n-沟道器件穿通 B Ion Implant H. n-沟道阈值电压（VT）调整 B Ion Implant I. n 沟道器件轻掺杂漏区(LDD) As Ion Implant J. n-沟道器件源漏区 (S/D) As Ion Implant K. p-沟道器件（ LDD） BF2 Ion Implant L. p-沟道器件源漏区（S/D） BF2 Ion Implant M.硅 Si Ion Implant N. 多晶硅 P or B Ion Implant or Diffusion O. SiO2 掺杂 P or B Ion Implant or Diffusion Table 17.2